IPB117N20NFD

Specifications

Category ：MOSFETs  
Manufacturer： Infineon Technologies  
Package/Case： TO-263-3  
Operating Temperature ：-55℃~+175℃  
Input Capacitance(Ciss@Vds) ：6.65nF@100V  
Type ：1 N-channel  
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) ：4V  
Gate Charge(Qg) ：87nC@10V  
Current - Continuous Drain(Id)： 84A  
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) ：13pF@100V  
Drain to Source Voltage ：200V  
Pd - Power Dissipation ：300W  
RDS(on) ：11.7mΩ@10V,84A